Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés RN2103(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage RN2103(T5L,F,T)

Numéro d'article
RN2103(T5L,F,T)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Paramètre du produit
Numéro d'article RN2103(T5L,F,T)
État de la pièce Active
Type de transistor PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 22k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 22k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 200MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-75, SOT-416
Package de périphérique fournisseur SSM
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