Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés RN1969FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN1969FE(TE85L,F)

Numéro d'article
RN1969FE(TE85L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Paramètre du produit
Numéro d'article RN1969FE(TE85L,F)
État de la pièce Obsolete
Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 47k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 22k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6
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RN1969FE(TE85L,F)

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

En stock: 0

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