Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - RF MT3S20P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20P(TE12L,F)

Numéro d'article
MT3S20P(TE12L,F)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article MT3S20P(TE12L,F)
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 7GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Gain 16.5dB
Puissance - Max 1.8W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-243AA
Package de périphérique fournisseur PW-MINI
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Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

La description: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

En stock: 1000

RFQ 0.16500/pcs
MT3S20TU(TE85L)

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

La description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

En stock: 0

RFQ -