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| Numéro d'article | STU9HN65M2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | I-Pak |
| Paquet / cas | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Fabricant: STMicroelectronics
La description: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
En stock: 43
Fabricant: STMicroelectronics
La description: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
En stock: 2945
