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| Artikelnummer | STU9HN65M2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 60W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 820 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I-Pak |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Auf Lager: 43
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
Auf Lager: 2945
