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| Numéro d'article | STH110N10F7-2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5117pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 55A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | H²PAK |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Fabricant: STMicroelectronics
La description: MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
En stock: 0
Fabricant: STMicroelectronics
La description: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
En stock: 0
Fabricant: STMicroelectronics
La description: MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
En stock: 0
