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| Artikelnummer | STH110N10F7-2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5117pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 55A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | H²PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
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