Numéro d'article | HAT2160H-EL-E |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 60A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7750pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 30W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 30A, 10V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | LFPAK |
Paquet / cas | SC-100, SOT-669 |
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 8SO
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
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La description: MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 40A 5LFPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 60A 5LFPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
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Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
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