Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples HAT2160H-EL-E

Renesas Electronics America HAT2160H-EL-E

Numéro d'article
HAT2160H-EL-E
Fabricant
Renesas Electronics America
La description
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article HAT2160H-EL-E
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7750pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur LFPAK
Paquet / cas SC-100, SOT-669
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