Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples HAT2131R-EL-E

Renesas Electronics America HAT2131R-EL-E

Numéro d'article
HAT2131R-EL-E
Fabricant
Renesas Electronics America
La description
MOSFET N-CH 8SO
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

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Paramètre du produit
Numéro d'article HAT2131R-EL-E
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 350V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 900mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 450mA, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-SOP
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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