Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples PSMN3R3-80BS,118

Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80BS,118

Numéro d'article
PSMN3R3-80BS,118
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

En Stock $ Quantité pcs
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    (En dollars américains)
  • 1 pcs

    0.77000/pcs
  • 800 pcs

    0.63437/pcs
Total:0.77000/pcs Unit Price:
0.77000/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article PSMN3R3-80BS,118
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 111nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8161pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D2PAK
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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