Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80BS,118

Numero de parte: PSMN3R3-80BS,118
Fabricante: Nexperia USA Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

En Stock $ Cantidad de piezas

Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
0.77000/pcs
800 pcs
0.63437/pcs

Total:0.77000/pcs

Unit Price:

0.77000/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	PSMN3R3-80BS,118
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	111nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8161pF @ 40V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB