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| Numéro d'article | APTM50AM24SCG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Caractéristique | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 150A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 434nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 19600pF @ 25V |
| Puissance - Max | 1250W |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SP6 |
| Package de périphérique fournisseur | SP6 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
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