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| Numero de parte | APTM50AM24SCG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 150A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 434nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 19600pF @ 25V |
| Potencia - Max | 1250W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SP6 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP6 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
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