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| Numéro d'article | APTGT100DH60T3G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Configuration | Asymmetrical Bridge |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
| Puissance - Max | 340W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 100A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 250µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 6.1nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | Yes |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | SP3 |
| Package de périphérique fournisseur | SP3 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD IGBT 1200V 140A SP2
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD IGBT 1200V 140A SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD IGBT 600V 150A SP2
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3
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