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| Numéro d'article | APT45GR65SSCD10 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 650V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 118A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 224A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Puissance - Max | 543W |
| Échange d'énergie | - |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 203nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 15ns/100ns |
| Condition de test | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | 80ns |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Package de périphérique fournisseur | D3Pak |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
En stock: 348
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 100A 625W TO247
En stock: 57
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 650V 92A 357W TO-247
En stock: 62
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
En stock: 0
