Numéro d'article | APT45M100J |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 45A |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 570nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 18500pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 960W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 33A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V TO-247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
En stock: 5
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
En stock: 2905
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
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