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| Numéro d'article | APT30SCD65B |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 46A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 30A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 600µA @ 650V |
| Capacitance @ Vr, F | 945pF @ 1V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-2 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
En stock: 3
