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| Numero de parte | APT30SCD65B |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 46A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 30A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 600µA @ 650V |
| Capacitancia @ Vr, F | 945pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 30A TO247
En stock: 77
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247
En stock: 3
