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| Numéro d'article | APT100GF60JU2 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type d'IGBT | NPT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 120A |
| Puissance - Max | 416W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 250µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 12.3nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | Yes |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 14
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
En stock: 30
