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| Numéro d'article | C3M0120090J-TR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 900V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D2PAK-7 |
| Paquet / cas | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Fabricant: Cree/Wolfspeed
La description: 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
En stock: 1726
Fabricant: Cree/Wolfspeed
La description: MOSFET N-CH 900V 22A
En stock: 417
Fabricant: Cree/Wolfspeed
La description: MOSFET N-CH 900V 22A
En stock: 0
Fabricant: Cree/Wolfspeed
La description: MOSFET N-CH SIC 1KV 22A D2PAK-7
En stock: 188
Fabricant: Cree/Wolfspeed
La description: 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
En stock: 462
