cree is an innovator and manufacturer of semiconductors and devices that enhance the value of power, solid-state lighting and communications products.
| Osa numero | C3M0120090J-TR |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 900V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajan laitepaketti | D2PAK-7 |
| Pakkaus / kotelo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Valmistaja: Cree/Wolfspeed
Kuvaus: 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Varastossa: 1726
Valmistaja: Cree/Wolfspeed
Kuvaus: MOSFET N-CH SIC 1KV 22A D2PAK-7
Varastossa: 188
Valmistaja: Cree/Wolfspeed
Kuvaus: 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Varastossa: 462
