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| Numéro d'article | DN3765K4-G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 300mA (Tj) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 825pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | Depletion Mode |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 150mA, 0V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-252-3 |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricant: Microchip Technology
La description: MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
En stock: 2000
