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| Numero de parte | DN3765K4-G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 300mA (Tj) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 825pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | Depletion Mode |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 150mA, 0V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252-3 |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Microchip Technology
Descripción: MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
En stock: 2000
