STMicroelectronics STGW10M65DF2

Osa numero: STGW10M65DF2
Valmistaja: STMicroelectronics
Kuvaus: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - IGBT - Single

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
0.93000/pcs
10 pcs
0.83500/pcs
100 pcs
0.67095/pcs
500 pcs
0.55125/pcs
1,000 pcs
0.45675/pcs

Kaikki yhteensä:0.93000/pcs

Unit Price:

0.93000/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	STGW10M65DF2
Osan tila	Active
IGBT-tyyppi	Trench Field Stop
Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi)	650V
Nykyinen - Collector (Ic) (Max)	20A
Nykyinen - Collector Pulsed (Icm)	40A
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 10A
Teho - Max	115W
Energian vaihto	120µJ (on), 270µJ (off)
Syötteen tyyppi	Standard
Gate Charge	28nC
Td (päällä / pois) @ 25 ° C	19ns/91ns
Testausolosuhteet	400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Käänteinen palautusaika (trr)	96ns
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Through Hole
Pakkaus / kotelo	TO-247-3
Toimittajan laitepaketti	TO-247