Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - IGBTs - Einzeln STGW10M65DF2

STMicroelectronics STGW10M65DF2

Artikelnummer
STGW10M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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    (In US-Dollar)

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  • 10 pcs

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  • 100 pcs

    0.67095/pcs

  • 500 pcs

    0.55125/pcs

  • 1,000 pcs

    0.45675/pcs
Gesamt:0.93000/pcsUnit Price:
0.93000/pcs		Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTGW10M65DF2
TeilstatusActive
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)20A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)40A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
Leistung max115W
Energie wechseln120µJ (on), 270µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Ladung28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C19ns/91ns
Testbedingung400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)96ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247
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