provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | UFS360G/TR13 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| Diodityyppi | Standard |
| Jännite - DC taakse (Vr) (Max) | 600V |
| Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) | 3A |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maksimi) @ Jos | 1.2V @ 3A |
| Nopeus | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Käänteinen palautusaika (trr) | 60ns |
| Nykyinen - taaksepäin vuoto @ Vr | 10µA @ 600V |
| Kapasitanssi @ Vr, F | - |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Pakkaus / kotelo | DO-215AB, SMC Gull Wing |
| Toimittajan laitepaketti | DO-215AB |
| Käyttölämpötila - liitäntä | -55°C ~ 175°C |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO215AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO215AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 3A DO215AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO215AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO215AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 150V 3A DO215AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Varastossa: 0
