provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numero de parte | UFS360G/TR13 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 3A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 3A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 60ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-215AB, SMC Gull Wing |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-215AB |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 50V 3A DO215AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A DO215AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 150V 3A DO215AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 50V 3A DO215AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A DO215AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 150V 3A DO215AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
En stock: 0
