Osa numero | DMNH6008SCTQ |
---|---|
Osan tila | Active |
FET-tyyppi | N-Channel |
tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 60V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 130A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2596pF @ 30V |
Vgs (Max) | 20V |
FET-ominaisuus | - |
Tehonsyöttö (maksimi) | 210W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 20A, 10V |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajan laitepaketti | TO-220AB |
Pakkaus / kotelo | TO-220-3 |
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
Varastossa: 22
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
Varastossa: 5000
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET NCH 30V 15A TO252
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3
Varastossa: 0
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
Varastossa: 3750
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
Varastossa: 5000
Valmistaja: Diodes Incorporated
Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 18A TO252
Varastossa: 0