Osa numero | AOT1608L |
---|---|
Osan tila | Active |
FET-tyyppi | N-Channel |
tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 60V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 140A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 3690pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-ominaisuus | - |
Tehonsyöttö (maksimi) | 2.1W (Ta), 333W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 20A, 10V |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajan laitepaketti | TO-220 |
Pakkaus / kotelo | TO-220-3 |
Valmistaja: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kuvaus: IGBT 650V 10A TO220
Varastossa: 1000
Valmistaja: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kuvaus: IGBT 650V 10A TO220
Varastossa: 1000
Valmistaja: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Varastossa: 0
Valmistaja: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Varastossa: 0