Osa numero | AOT10T60L |
---|---|
Osan tila | Obsolete |
FET-tyyppi | N-Channel |
tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 600V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1346pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-ominaisuus | - |
Tehonsyöttö (maksimi) | 208W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 5A, 10V |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajan laitepaketti | TO-220 |
Pakkaus / kotelo | TO-220-3 |
Valmistaja: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kuvaus: IGBT 650V 10A TO220
Varastossa: 1000
Valmistaja: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kuvaus: IGBT 650V 10A TO220
Varastossa: 1000
Valmistaja: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Varastossa: 0
Valmistaja: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Varastossa: 0