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| Numero de parte | AOT10T60L |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1346pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción: IGBT 650V 10A TO220
En stock: 1000
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción: IGBT 650V 10A TO220
En stock: 1000
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
En stock: 0
Fabricante: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
En stock: 0
