vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.
| Numero de parte | IRLD024PBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.5A, 5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Paquete / caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
En stock: 7341
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
En stock: 9986
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
En stock: 3559
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
En stock: 6274
