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| Numero de parte | IRLD024 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.5A, 5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Paquete / caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Fabricante: OSRAM Opto Semiconductors Inc.
Descripción: EMITTER IR 860NM 100MA RADIAL
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