| Numero de parte | NVJS4151PT1G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Paquete / caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88
En stock: 0