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| Artikelnummer | NVJS4151PT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 1.2A SC88
Auf Lager: 0
