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| Numero de parte | NTGD3149CT1G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.2A, 2.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 387pF @ 10V |
| Potencia - Max | 900mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP
En stock: 9000
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
En stock: 60000
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
En stock: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
En stock: 0
