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| Artikelnummer | NTGD3149CT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.2A, 2.4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 387pF @ 10V |
| Leistung max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP
Auf Lager: 9000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Auf Lager: 60000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
Auf Lager: 0
