Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Simple PSMN013-100ES,127

Nexperia USA Inc. PSMN013-100ES,127

Numero de parte
PSMN013-100ES,127
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 100V I2PAK
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

En Stock $ Cantidad de piezas
  • Precio de referencia

    (En dólares estadounidenses)
  • 1 pcs

    0.83500/pcs
  • 10 pcs

    0.79250/pcs
  • 100 pcs

    0.63695/pcs
  • 500 pcs

    0.49540/pcs
  • 1,000 pcs

    0.41047/pcs
Total:0.83500/pcs Unit Price:
0.83500/pcs
Precio objetivo:
Cantidad:
Parámetro del producto
Numero de parte PSMN013-100ES,127
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 68A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3195pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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