Numero di parte | PSMN013-100ES,127 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 68A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3195pF @ 50V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 15A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 80V LFPAK56
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK
Disponibile: 1500
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V LFPAK33
Disponibile: 4500
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V LFPAK33
Disponibile: 3000
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 80V LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: PSMN012-100YL/SOT669/LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
Disponibile: 12000