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| Numero de parte | APTM20DAM08TG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 208A |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 781W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 104A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP4 |
| Paquete / caja | SP4 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 200V 372A SP6
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 200V 317A SP6
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Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 200V 208A SP4
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