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| Artikelnummer | APTM20DAM08TG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 208A |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 781W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 104A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SP4 |
| Paket / Fall | SP4 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 372A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 317A SP6
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 208A SP4
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