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| Numero de parte | APT22F80S |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 800V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 23A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4595pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 625W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 12A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D3Pak |
| Paquete / caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
En stock: 14
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 3
Fabricante: Microsemi Corporation
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
En stock: 0
