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| Artikelnummer | APT22F80S |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4595pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 625W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 12A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D3Pak |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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Hersteller: Microsemi Corporation
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
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