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| Numero de parte | IPW90R1K0C3FKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.7A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
En stock: 358
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
En stock: 577
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
En stock: 130
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
En stock: 2471
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
En stock: 243
