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| Artikelnummer | IPW90R1K0C3FKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 370µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 89W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
Auf Lager: 358
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
Auf Lager: 577
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
Auf Lager: 130
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
Auf Lager: 2471
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
Auf Lager: 243
