Infineon Technologies IPD65R600C6

Numero de parte: IPD65R600C6
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Infineon Technologies

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
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10 pcs
0.71550/pcs
100 pcs
0.56530/pcs
500 pcs
0.43840/pcs
1,000 pcs
0.34610/pcs

Total:0.76000/pcs

Unit Price:

0.76000/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	IPD65R600C6
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7.3A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 210µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 2.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63