Infineon Technologies IPD65R600C6

Artikelnummer: IPD65R600C6
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

Infineon Technologies

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Produktparameter

Artikelnummer	IPD65R600C6
Teilstatus	Not For New Designs
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 210µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	63W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 2.1A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TO252-3
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63