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| Numero de parte | CMF20120D |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 42A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Vgs (Max) | +25V, -5V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 215W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 135°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-3 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
