atmel corporation is an industry leader in the design and manufacture of advanced semiconductors, with focus on microcontrollers, nonvolatile memory, logic, radio frequency (rf) components and sensors.
| Numero de parte | 2N6660 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 410mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 24V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-39 |
| Paquete / caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
