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| Artikelnummer | SI5935DC-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 86 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
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Hersteller: Vishay Siliconix
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK
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